Diodes Incorporated - DMN3009SFGQ-13

KEY Part #: K6394617

DMN3009SFGQ-13 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [191069पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.19358

भाग संख्या:
DMN3009SFGQ-13
निर्माता:
Diodes Incorporated
विस्तृत विवरण:
MOSFETN-CH 30VPOWERDI3333-8.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल and डायोडहरू - आरएफ ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
We specialize in Diodes Incorporated DMN3009SFGQ-13 electronic components. DMN3009SFGQ-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN3009SFGQ-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN3009SFGQ-13 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : DMN3009SFGQ-13
निर्माता : Diodes Incorporated
वर्णन : MOSFETN-CH 30VPOWERDI3333-8
श्रृंखला : Automotive, AEC-Q101
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 16A (Ta), 45A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 5.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2.5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 42nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 2000pF @ 15V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 900mW (Ta)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : PowerDI3333-8
प्याकेज / केस : 8-PowerVDFN

तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ