भाग संख्या :
IXFX24N100Q3
वर्णन :
MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
1000V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
24A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
440 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
6.5V @ 4mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
140nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
7200pF @ 25V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
1000W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
PLUS247™-3