Vishay Siliconix - SI4860DY-T1-GE3

KEY Part #: K6406096

[1438पीसी स्टक]


    भाग संख्या:
    SI4860DY-T1-GE3
    निर्माता:
    Vishay Siliconix
    विस्तृत विवरण:
    MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC.
    Manufacturer's standard lead time:
    स्टक मा
    आफ्नो जीवन:
    एक वर्ष
    बाट चिप:
    हंगकंग
    RoHS:
    भुक्तानी विधि:
    ढुवानी मार्ग:
    परिवार कोटिहरू:
    KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, Thyristors - SCRs, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू ...
    प्रतिस्पर्धी लाभ:
    We specialize in Vishay Siliconix SI4860DY-T1-GE3 electronic components. SI4860DY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4860DY-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI4860DY-T1-GE3 उत्पाद गुणहरू

    भाग संख्या : SI4860DY-T1-GE3
    निर्माता : Vishay Siliconix
    वर्णन : MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
    श्रृंखला : TrenchFET®
    भाग स्थिति : Obsolete
    FET प्रकार : N-Channel
    टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
    स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 30V
    हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 11A (Ta)
    ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 4.5V, 10V
    Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 8 mOhm @ 16A, 10V
    Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 1V @ 250µA (Min)
    गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 18nC @ 4.5V
    Vgs (अधिकतम) : ±20V
    इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : -
    FET फिचर : -
    पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 1.6W (Ta)
    अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
    माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
    आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 8-SO
    प्याकेज / केस : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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