[3016पीसी स्टक]
- भाग संख्या:
- 2SJ438,MDKQ(M
- निर्माता:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET P-CH.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, Thyristors - DIACs, SIDACs, Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य and ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ438,MDKQ(M electronic components. 2SJ438,MDKQ(M can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2SJ438,MDKQ(M, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
2SJ438,MDKQ(M उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
2SJ438,MDKQ(M
निर्माता :
Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन :
MOSFET P-CH
श्रृंखला :
*
भाग स्थिति :
Obsolete
FET प्रकार :
-
टेक्नोलोजी :
-
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
-
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
-
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
-
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
-
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
-
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
-
Vgs (अधिकतम) :
-
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
-
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
-
अपरेटिंग तापमान :
-
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
TO-220NIS
प्याकेज / केस :
TO-220-3 Full Pack
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- IRF3704ZCLPBF
- FDS8812NZ
- NTD70N03R
- IPSH5N03LA G
- IPP07N03LB G
- IPI100N06S3-04
- HUF76633P3
- FQI9N15TU
- IRLI610ATU
- FQP7N10L
- FQPF5N20L
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- IRL3705ZSTRL
- IRF7832Z
- BSS123ATA
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- RJK6006DPP-E0#T2
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- BSS209PW
- IRFR3707TR
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- IPC60R099C6X1SA1
- IPP60R180C7XKSA1
- IPP120N08S404AKSA1
- IRFS23N15DTRLP
- STD15N60M2-EP
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- PSMN7R0-30YL,115