Toshiba Semiconductor and Storage - 2SJ360(F)

KEY Part #: K6407375

[995पीसी स्टक]


    भाग संख्या:
    2SJ360(F)
    निर्माता:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    विस्तृत विवरण:
    MOSFET P-CH 60V 1A SC-62.
    Manufacturer's standard lead time:
    स्टक मा
    आफ्नो जीवन:
    एक वर्ष
    बाट चिप:
    हंगकंग
    RoHS:
    भुक्तानी विधि:
    ढुवानी मार्ग:
    परिवार कोटिहरू:
    KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या and पावर ड्राइभर मोड्युलहरू ...
    प्रतिस्पर्धी लाभ:
    We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ360(F) electronic components. 2SJ360(F) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2SJ360(F), Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    2SJ360(F) उत्पाद गुणहरू

    भाग संख्या : 2SJ360(F)
    निर्माता : Toshiba Semiconductor and Storage
    वर्णन : MOSFET P-CH 60V 1A SC-62
    श्रृंखला : -
    भाग स्थिति : Obsolete
    FET प्रकार : P-Channel
    टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
    स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 60V
    हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 1A (Ta)
    ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 4V, 10V
    Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 730 mOhm @ 500mA, 10V
    Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2V @ 1mA
    गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 6.5nC @ 10V
    Vgs (अधिकतम) : ±20V
    इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 155pF @ 10V
    FET फिचर : -
    पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 500mW (Ta)
    अपरेटिंग तापमान : 150°C (TJ)
    माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
    आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : PW-MINI
    प्याकेज / केस : TO-243AA

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