Microsemi Corporation - APT8020B2LLG

KEY Part #: K6396186

APT8020B2LLG मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [3310पीसी स्टक]

  • 1 pcs$16.93361

भाग संख्या:
APT8020B2LLG
निर्माता:
Microsemi Corporation
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 800V 38A T-MAX.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, Thyristors - DIACs, SIDACs, डायोडहरू - आरएफ, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू and Thyristors - SCRs ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT8020B2LLG उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : APT8020B2LLG
निर्माता : Microsemi Corporation
वर्णन : MOSFET N-CH 800V 38A T-MAX
श्रृंखला : POWER MOS 7®
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 800V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 38A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 200 mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 5V @ 2.5mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 195nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±30V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 5200pF @ 25V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 694W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : T-MAX™ [B2]
प्याकेज / केस : TO-247-3 Variant

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