IPW60R190E6FKSA1 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [22533पीसी स्टक]
- 1 pcs$1.82891
- भाग संख्या:
- IPW60R190E6FKSA1
- निर्माता:
- Infineon Technologies
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - जेनर - एकल, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Infineon Technologies IPW60R190E6FKSA1 electronic components. IPW60R190E6FKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPW60R190E6FKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPW60R190E6FKSA1 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
IPW60R190E6FKSA1
निर्माता :
Infineon Technologies
वर्णन :
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247
श्रृंखला :
CoolMOS™
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
600V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
20.2A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
190 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
3.5V @ 630µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
63nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
1400pF @ 100V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
151W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
PG-TO247-3
प्याकेज / केस :
TO-247-3
ताजा समाचारहरू
तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
तातो पार्ट्स
- NP40N10VDF-E1-AY
- FDS8449-F085P
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- SI4860DY-T1-E3
- IRFH8337TR2PBF
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- 5X49_BG7002B
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- NDS336P
- NTMS3P03R2G
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- IRLR3715TRLPBF
- IRF7451PBF
- TSM6NB60CZ C0G
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