ON Semiconductor - HGTP7N60A4

KEY Part #: K6423018

HGTP7N60A4 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [47714पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.81948
  • 800 pcs$0.48593

भाग संख्या:
HGTP7N60A4
निर्माता:
ON Semiconductor
विस्तृत विवरण:
IGBT 600V 34A 125W TO220AB.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, डायोडहरू - आरएफ and डायोडहरू - जेनर - एकल ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
We specialize in ON Semiconductor HGTP7N60A4 electronic components. HGTP7N60A4 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HGTP7N60A4, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HGTP7N60A4 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : HGTP7N60A4
निर्माता : ON Semiconductor
वर्णन : IGBT 600V 34A 125W TO220AB
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Not For New Designs
IGBT प्रकार : -
भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम) : 600V
वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम) : 34A
वर्तमान - कलेक्टर पल्स (आईसीएम) : 56A
Vce (on) (अधिकतम) @ Vge, आईसी : 2.7V @ 15V, 7A
पावर - अधिकतम : 125W
ऊर्जा स्विच गर्दै : 55µJ (on), 60µJ (off)
इनपुट प्रकार : Standard
गेट चार्ज : 37nC
टीडी (अन / अफ) @ २° डिग्री सेल्सियस : 11ns/100ns
परीक्षण अवस्था : 390V, 7A, 25 Ohm, 15V
उल्टो रिकभरी समय (trr) : -
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
प्याकेज / केस : TO-220-3
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-220-3

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