IXYS - IXFN66N50Q2

KEY Part #: K6413301

[13147पीसी स्टक]


    भाग संख्या:
    IXFN66N50Q2
    निर्माता:
    IXYS
    विस्तृत विवरण:
    MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227B.
    Manufacturer's standard lead time:
    स्टक मा
    आफ्नो जीवन:
    एक वर्ष
    बाट चिप:
    हंगकंग
    RoHS:
    भुक्तानी विधि:
    ढुवानी मार्ग:
    परिवार कोटिहरू:
    KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, डायोडहरू - जेनर - एकल, Thyristors - DIACs, SIDACs, डायोडहरू - आरएफ, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू ...
    प्रतिस्पर्धी लाभ:
    We specialize in IXYS IXFN66N50Q2 electronic components. IXFN66N50Q2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFN66N50Q2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IXFN66N50Q2 उत्पाद गुणहरू

    भाग संख्या : IXFN66N50Q2
    निर्माता : IXYS
    वर्णन : MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227B
    श्रृंखला : HiPerFET™
    भाग स्थिति : Obsolete
    FET प्रकार : N-Channel
    टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
    स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 500V
    हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 66A (Tc)
    ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
    Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 80 mOhm @ 500mA, 10V
    Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 4.5V @ 8mA
    गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 199nC @ 10V
    Vgs (अधिकतम) : ±30V
    इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 6800pF @ 25V
    FET फिचर : -
    पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 735W (Tc)
    अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
    माउन्टिंग प्रकार : Chassis Mount
    आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : SOT-227B
    प्याकेज / केस : SOT-227-4, miniBLOC

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