[13549पीसी स्टक]
- भाग संख्या:
- H5N2007LSTL-E
- निर्माता:
- Renesas Electronics America
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH HS SW TO-263.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य and Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Renesas Electronics America H5N2007LSTL-E electronic components. H5N2007LSTL-E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for H5N2007LSTL-E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
H5N2007LSTL-E उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
H5N2007LSTL-E
निर्माता :
Renesas Electronics America
वर्णन :
MOSFET N-CH HS SW TO-263
श्रृंखला :
*
भाग स्थिति :
Last Time Buy
FET प्रकार :
-
टेक्नोलोजी :
-
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
-
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
-
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
-
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
-
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
-
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
-
Vgs (अधिकतम) :
-
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
-
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
-
अपरेटिंग तापमान :
-
माउन्टिंग प्रकार :
-
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
-
प्याकेज / केस :
-
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- IPB096N03LGATMA1
- SIA419DJ-T1-GE3
- NTR4503NT1
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- IRFP064VPBF
- IRFZ46ZPBF
- SPP06N60C3XKSA1
- NTD4302T4
- 2SK221100L
- IRF6648TR1
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