Diodes Incorporated - DMN62D0LFD-7

KEY Part #: K6417369

DMN62D0LFD-7 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [1546063पीसी स्टक]

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  • 3,000 pcs$0.02392
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  • 30,000 pcs$0.01664
  • 75,000 pcs$0.01560
  • 150,000 pcs$0.01352

भाग संख्या:
DMN62D0LFD-7
निर्माता:
Diodes Incorporated
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-DFN.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, Thyristors - DIACs, SIDACs and ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN62D0LFD-7 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : DMN62D0LFD-7
निर्माता : Diodes Incorporated
वर्णन : MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-DFN
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 60V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 310mA (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 1.8V, 4V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 2 Ohm @ 100mA, 4V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 1V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 500nC @ 4.5V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 31pF @ 25V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 480mW (Ta)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : X1-DFN1212-3
प्याकेज / केस : 3-UDFN

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