Toshiba Semiconductor and Storage - SSM3J114TU(T5L,T)

KEY Part #: K6406256

[1383पीसी स्टक]


    भाग संख्या:
    SSM3J114TU(T5L,T)
    निर्माता:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    विस्तृत विवरण:
    MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM.
    Manufacturer's standard lead time:
    स्टक मा
    आफ्नो जीवन:
    एक वर्ष
    बाट चिप:
    हंगकंग
    RoHS:
    भुक्तानी विधि:
    ढुवानी मार्ग:
    परिवार कोटिहरू:
    KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - जेनर - एकल, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, Thyristors - TRIACs, डायोडहरू - आरएफ and ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य ...
    प्रतिस्पर्धी लाभ:
    We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J114TU(T5L,T) electronic components. SSM3J114TU(T5L,T) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM3J114TU(T5L,T), Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SSM3J114TU(T5L,T) उत्पाद गुणहरू

    भाग संख्या : SSM3J114TU(T5L,T)
    निर्माता : Toshiba Semiconductor and Storage
    वर्णन : MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
    श्रृंखला : -
    भाग स्थिति : Obsolete
    FET प्रकार : P-Channel
    टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
    स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 20V
    हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 1.8A (Ta)
    ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 1.5V, 4V
    Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 149 mOhm @ 600mA, 4V
    Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 1V @ 1mA
    गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 7.7nC @ 4V
    Vgs (अधिकतम) : ±8V
    इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 331pF @ 10V
    FET फिचर : -
    पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 500mW (Ta)
    अपरेटिंग तापमान : 150°C (TJ)
    माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
    आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : UFM
    प्याकेज / केस : 3-SMD, Flat Leads

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