भाग संख्या :
SSM3J114TU(T5L,T)
निर्माता :
Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन :
MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
20V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
1.8A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
1.5V, 4V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
149 mOhm @ 600mA, 4V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
1V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
7.7nC @ 4V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
331pF @ 10V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
500mW (Ta)
अपरेटिंग तापमान :
150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
UFM
प्याकेज / केस :
3-SMD, Flat Leads