Toshiba Semiconductor and Storage - RN2318(TE85L,F)

KEY Part #: K6526348

RN2318(TE85L,F) मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [1936260पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.11865
  • 10 pcs$0.10678
  • 25 pcs$0.07704
  • 100 pcs$0.05988
  • 250 pcs$0.03764
  • 500 pcs$0.03208
  • 1,000 pcs$0.02182

भाग संख्या:
RN2318(TE85L,F)
निर्माता:
Toshiba Semiconductor and Storage
विस्तृत विवरण:
TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , डायोडहरू - जेनर - एर्रे, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, डायोडहरू - आरएफ and ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RN2318(TE85L,F) उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : RN2318(TE85L,F)
निर्माता : Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन : TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
ट्रान्जिस्टर प्रकार : PNP - Pre-Biased
वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम) : 100mA
भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम) : 50V
प्रतिरोधक - बेस (R1) : 47 kOhms
प्रतिरोधक - इमिटर बेस (R2) : 10 kOhms
DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce : 50 @ 10mA, 5V
Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी : 300mV @ 250µA, 5mA
वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम) : 500nA
फ्रिक्वेन्सी - संक्रमण : 200MHz
पावर - अधिकतम : 100mW
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : SC-70, SOT-323
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : USM

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