Infineon Technologies - IPD60R800CEATMA1

KEY Part #: K6402503

IPD60R800CEATMA1 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [2682पीसी स्टक]

  • 2,500 pcs$0.11670

भाग संख्या:
IPD60R800CEATMA1
निर्माता:
Infineon Technologies
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 600V TO-252-3.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, डायोडहरू - आरएफ, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, Thyristors - SCRs, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD60R800CEATMA1 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : IPD60R800CEATMA1
निर्माता : Infineon Technologies
वर्णन : MOSFET N-CH 600V TO-252-3
श्रृंखला : CoolMOS™ CE
भाग स्थिति : Obsolete
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 600V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 5.6A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 800 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 3.5V @ 170µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 17.2nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 373pF @ 100V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 48W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-252-3
प्याकेज / केस : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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