Vishay Siliconix - SIHD6N62E-GE3

KEY Part #: K6405594

SIHD6N62E-GE3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [50279पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.77767

भाग संख्या:
SIHD6N62E-GE3
निर्माता:
Vishay Siliconix
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 620V 6A TO-252.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - जेनर - एकल, Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू and Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHD6N62E-GE3 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : SIHD6N62E-GE3
निर्माता : Vishay Siliconix
वर्णन : MOSFET N-CH 620V 6A TO-252
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : -
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 6A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 900 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 4V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 34nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±30V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 578pF @ 100V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 78W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : D-PAK (TO-252AA)
प्याकेज / केस : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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