[12655पीसी स्टक]
- भाग संख्या:
- IRLI530G
- निर्माता:
- Vishay Siliconix
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220FP.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - जेनर - एकल, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs and ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Vishay Siliconix IRLI530G electronic components. IRLI530G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLI530G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRLI530G उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
IRLI530G
निर्माता :
Vishay Siliconix
वर्णन :
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220FP
श्रृंखला :
-
भाग स्थिति :
Obsolete
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
100V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
9.7A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
4V, 5V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
160 mOhm @ 5.8A, 5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
28nC @ 5V
Vgs (अधिकतम) :
±10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
930pF @ 25V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
42W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
TO-220-3
प्याकेज / केस :
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
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