SQP90142E_GE3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [28686पीसी स्टक]
- 1 pcs$1.43668
- भाग संख्या:
- SQP90142E_GE3
- निर्माता:
- Vishay Siliconix
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 200V 78.5A TO220AB.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - जेनर - एर्रे, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल and ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Vishay Siliconix SQP90142E_GE3 electronic components. SQP90142E_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQP90142E_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SQP90142E_GE3 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
SQP90142E_GE3
निर्माता :
Vishay Siliconix
वर्णन :
MOSFET N-CH 200V 78.5A TO220AB
श्रृंखला :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
200V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
78.5A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
15.3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
3.5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
85nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
4200pF @ 25V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
250W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
TO-220AB
प्याकेज / केस :
TO-220-3
ताजा समाचारहरू
तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
तातो पार्ट्स
- AON6562
- IPD60R650CEATMA1
- HUFA76645S3ST-F085
- RJK5026DPP-E0#T2
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- BUZ73A H3046
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- IRLHM630TR2PBF
- SI4418DY-T1-GE3
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- NDS8410A
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- HUF75939P3
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- STW26NM50
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- NTB75N03L09T4G
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- ES6U1T2R