वर्णन :
MOSFET N-CH 600V 15A I4-PAC-5
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
600V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
15A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
165 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
3.5V @ 790µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
52nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
2000pF @ 100V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
-
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
ISOPLUS i4-PAC™
प्याकेज / केस :
ISOPLUSi5-Pak™