भाग संख्या :
SI1305EDL-T1-GE3
निर्माता :
Vishay Siliconix
वर्णन :
MOSFET P-CH 8V 0.86A SOT323-3
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
8V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
860mA (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
1.8V, 4.5V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
280 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
450mV @ 250µA (Min)
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
4nC @ 4.5V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
290mW (Ta)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
SC-70-3
प्याकेज / केस :
SC-70, SOT-323