Infineon Technologies - IRFS7530PBF

KEY Part #: K6402928

IRFS7530PBF मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [2534पीसी स्टक]

  • 1 pcs$2.11977
  • 10 pcs$1.89060
  • 100 pcs$1.55038
  • 500 pcs$1.25544
  • 1,000 pcs$1.00451

भाग संख्या:
IRFS7530PBF
निर्माता:
Infineon Technologies
विस्तृत विवरण:
MOSFET N CH 60V 195A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू and डायोडहरू - आरएफ ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFS7530PBF उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : IRFS7530PBF
निर्माता : Infineon Technologies
वर्णन : MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
श्रृंखला : HEXFET®, StrongIRFET™
भाग स्थिति : Discontinued at Digi-Key
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 60V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 195A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 6V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 3.7V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 411nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 13703pF @ 25V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 375W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : D2PAK
प्याकेज / केस : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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