STMicroelectronics - A2C25S12M3

KEY Part #: K6532519

A2C25S12M3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [1757पीसी स्टक]

  • 1 pcs$24.64293

भाग संख्या:
A2C25S12M3
निर्माता:
STMicroelectronics
विस्तृत विवरण:
IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , डायोडहरू - जेनर - एर्रे, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
We specialize in STMicroelectronics A2C25S12M3 electronic components. A2C25S12M3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for A2C25S12M3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

A2C25S12M3 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : A2C25S12M3
निर्माता : STMicroelectronics
वर्णन : IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
IGBT प्रकार : Trench Field Stop
कन्फिगरेसन : Three Phase Inverter with Brake
भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम) : 1200V
वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम) : 25A
पावर - अधिकतम : 197W
Vce (on) (अधिकतम) @ Vge, आईसी : 2.45V @ 15V, 25A
वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम) : 100µA
इनपुट क्यापेसिटन्स (Cies) @ Vce : 1550pF @ 25V
इनपुट : Three Phase Bridge Rectifier
NTC थर्मिस्टर : Yes
अपरेटिंग तापमान : -40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Chassis Mount
प्याकेज / केस : Module
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : ACEPACK™ 2

तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
  • VS-ENQ030L120S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology

  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • A2C35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.

  • A1P35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK1.