ON Semiconductor - NCP5106BDR2G

KEY Part #: K1225712

NCP5106BDR2G मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [211003पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.19588
  • 2,500 pcs$0.19490
  • 5,000 pcs$0.18516
  • 12,500 pcs$0.17820

भाग संख्या:
NCP5106BDR2G
निर्माता:
ON Semiconductor
विस्तृत विवरण:
IC DRIVER HI/LO 600V 8-SOIC. Gate Drivers HIGH VOLT MOSFET DR LO MOSFET IGBT DRVR
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: इन्टरफेस - मोड्युलहरू, डाटा अधिग्रहण - एनालग फ्रन्ट एंड (AFE), PMIC - मोटर ड्राइभरहरू, नियन्त्रकहरू, विशेष आईसीहरू, तर्क - गेट्स र इन्भर्टरहरू, घडी / समय - प्रोगेमेबल टाइमर र ऑसिलेटरहरू, घडी / समय - अनुप्रयोग विशिष्ट and ईन्टरफेस - प्रत्यक्ष डिजिटल संश्लेषण (डीडीएस) ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NCP5106BDR2G उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : NCP5106BDR2G
निर्माता : ON Semiconductor
वर्णन : IC DRIVER HI/LO 600V 8-SOIC
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
ड्राइभ कन्फिगरेसन : Half-Bridge
च्यानल प्रकार : Independent
चालकहरूको संख्या : 2
गेट प्रकार : IGBT, N-Channel MOSFET
भोल्टेज - आपूर्ति : 10V ~ 20V
तर्क भोल्टेज - VIL, VIH : 0.8V, 2.3V
वर्तमान - चुचुरो आउटपुट (स्रोत, सिंक) : 250mA, 500mA
इनपुट प्रकार : Non-Inverting
उच्च साइड भोल्टेज - अधिकतम (बुटस्ट्र्याप) : 600V
उठ्नुहोस् / पतन समय (प्रकार) : 85ns, 35ns
अपरेटिंग तापमान : -40°C ~ 125°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 8-SOIC

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