Vishay Semiconductor Diodes Division - S4PGHM3_A/I

KEY Part #: K6432013

S4PGHM3_A/I मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [463895पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.07973
  • 6,500 pcs$0.07226

भाग संख्या:
S4PGHM3_A/I
निर्माता:
Vishay Semiconductor Diodes Division
विस्तृत विवरण:
DIODE GEN PURP 400V 4A TO277A. Rectifiers 4A, 400V, SMPC STD, SM Rect
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प and Thyristors - DIACs, SIDACs ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division S4PGHM3_A/I electronic components. S4PGHM3_A/I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S4PGHM3_A/I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S4PGHM3_A/I उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : S4PGHM3_A/I
निर्माता : Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन : DIODE GEN PURP 400V 4A TO277A
श्रृंखला : Automotive, AEC-Q101, eSMP®
भाग स्थिति : Active
डायोड प्रकार : Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 400V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 4A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 1.1V @ 4A
गति : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : 2.5µs
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 10µA @ 400V
Capacitance @ Vr, F : 30pF @ 4V, 1MHz
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : TO-277, 3-PowerDFN
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-277A (SMPC)
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -55°C ~ 150°C

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