भाग संख्या :
CUS02(TE85L,Q,M)
निर्माता :
Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन :
DIODE SCHOTTKY 30V 1A USFLAT
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) :
30V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) :
1A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि :
470mV @ 1A
गति :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) :
-
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr :
100µA @ 30V
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
प्याकेज / केस :
SC-76, SOD-323
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
US-FLAT (1.25x2.5)
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन :
-40°C ~ 150°C