Infineon Technologies - IRFHM8337TRPBF

KEY Part #: K6421043

IRFHM8337TRPBF मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [335200पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.11034
  • 4,000 pcs$0.09462

भाग संख्या:
IRFHM8337TRPBF
निर्माता:
Infineon Technologies
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 30V 12A 8PQFN.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - TRIACs, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
We specialize in Infineon Technologies IRFHM8337TRPBF electronic components. IRFHM8337TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFHM8337TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFHM8337TRPBF उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : IRFHM8337TRPBF
निर्माता : Infineon Technologies
वर्णन : MOSFET N-CH 30V 12A 8PQFN
श्रृंखला : HEXFET®
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 12A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 12.4 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2.35V @ 25µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 8.1nC @ 4.5V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 755pF @ 15V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 2.8W (Ta), 25W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
प्याकेज / केस : 8-PowerTDFN

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