Vishay Siliconix - IRFUC20PBF

KEY Part #: K6393023

IRFUC20PBF मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [55666पीसी स्टक]

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  • 10 pcs$0.54604
  • 100 pcs$0.43156
  • 500 pcs$0.31659
  • 1,000 pcs$0.24994

भाग संख्या:
IRFUC20PBF
निर्माता:
Vishay Siliconix
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 600V 2A I-PAK.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, डायोडहरू - आरएफ and ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFUC20PBF उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : IRFUC20PBF
निर्माता : Vishay Siliconix
वर्णन : MOSFET N-CH 600V 2A I-PAK
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 600V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 2A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 4.4 Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 4V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 18nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 350pF @ 25V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 2.5W (Ta), 42W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-251AA
प्याकेज / केस : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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