Infineon Technologies - IRF7779L2TRPBF

KEY Part #: K6407490

IRF7779L2TRPBF मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [34569पीसी स्टक]

  • 1 pcs$1.19816
  • 4,000 pcs$1.19219

भाग संख्या:
IRF7779L2TRPBF
निर्माता:
Infineon Technologies
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 150V DIRECTFET L8.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, Thyristors - DIACs, SIDACs, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, डायोडहरू - जेनर - एर्रे and ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF7779L2TRPBF उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : IRF7779L2TRPBF
निर्माता : Infineon Technologies
वर्णन : MOSFET N-CH 150V DIRECTFET L8
श्रृंखला : HEXFET®
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 150V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 375A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 11 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 150nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 6660pF @ 25V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 3.3W (Ta), 125W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : DIRECTFET L8
प्याकेज / केस : DirectFET™ Isometric L8

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