Texas Instruments - CSD22206W

KEY Part #: K6395546

CSD22206W मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [311736पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.12680
  • 3,000 pcs$0.12616

भाग संख्या:
CSD22206W
निर्माता:
Texas Instruments
विस्तृत विवरण:
8V P-CHANNEL FEMTOFET.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, Thyristors - SCRs and डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CSD22206W उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : CSD22206W
निर्माता : Texas Instruments
वर्णन : 8V P-CHANNEL FEMTOFET
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : P-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 8V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 5A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 2.5V, 4.5V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 5.7 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 1.05V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 14.6nC @ 4.5V
Vgs (अधिकतम) : -6V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 2275pF @ 4V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 1.7W (Ta)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 9-DSBGA (1.5x1.5)
प्याकेज / केस : 9-UFBGA, DSBGA

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