[1475पीसी स्टक]
- भाग संख्या:
- SI7495DP-T1-E3
- निर्माता:
- Vishay Siliconix
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET P-CH 12V 13A PPAK SO-8.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Vishay Siliconix SI7495DP-T1-E3 electronic components. SI7495DP-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7495DP-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI7495DP-T1-E3 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
SI7495DP-T1-E3
निर्माता :
Vishay Siliconix
वर्णन :
MOSFET P-CH 12V 13A PPAK SO-8
श्रृंखला :
TrenchFET®
भाग स्थिति :
Obsolete
FET प्रकार :
P-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
12V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
13A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
1.8V, 4.5V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
6.5 mOhm @ 21A, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
900mV @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
140nC @ 5V
Vgs (अधिकतम) :
±8V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
-
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
1.8W (Ta)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
PowerPAK® SO-8
प्याकेज / केस :
PowerPAK® SO-8
ताजा समाचारहरू
तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
तातो पार्ट्स
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- RFP50N05L
- STW26NM50
- FQPF9N30
- FQI5N40TU
- ZVN4306AVSTOA
- NTB75N03L09T4G
- IRFU3911PBF
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- NTP60N06L
- NP83P06PDG-E1-AY
- IRL1404ZL
- IRF7807VD1TR
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- IRFI510G
- IRF840L
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- IXFV20N80P
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- ES6U1T2R