Vishay Semiconductor Diodes Division - BYW29-200-E3/45

KEY Part #: K6443402

BYW29-200-E3/45 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [92595पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.42228
  • 1,000 pcs$0.16115

भाग संख्या:
BYW29-200-E3/45
निर्माता:
Vishay Semiconductor Diodes Division
विस्तृत विवरण:
DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC. Rectifiers 8.0 Amp 200 Volt
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - DIACs, SIDACs, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल and ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYW29-200-E3/45 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : BYW29-200-E3/45
निर्माता : Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन : DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
डायोड प्रकार : Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 200V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 8A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 1.3V @ 20A
गति : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : 25ns
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 10µA @ 200V
Capacitance @ Vr, F : 45pF @ 4V, 1MHz
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
प्याकेज / केस : TO-220-2
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-220AC
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -65°C ~ 150°C

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