Infineon Technologies - IPA083N10N5XKSA1

KEY Part #: K6398825

IPA083N10N5XKSA1 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [42125पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.92818
  • 500 pcs$0.45514

भाग संख्या:
IPA083N10N5XKSA1
निर्माता:
Infineon Technologies
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 100V 45A TO220-3.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य and ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPA083N10N5XKSA1 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : IPA083N10N5XKSA1
निर्माता : Infineon Technologies
वर्णन : MOSFET N-CH 100V 45A TO220-3
श्रृंखला : OptiMOS™
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 100V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 44A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 6V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 8.3 mOhm @ 44A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 3.8V @ 49µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 37nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 2730pF @ 50V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 36W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : PG-TO220-FP
प्याकेज / केस : TO-220-3 Full Pack

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