EPC - EPC2007C

KEY Part #: K6417709

EPC2007C मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [101213पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.41183
  • 2,500 pcs$0.40978

भाग संख्या:
EPC2007C
निर्माता:
EPC
विस्तृत विवरण:
GANFET TRANS 100V 6A BUMPED DIE.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - SCRs, Thyristors - TRIACs, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य and ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EPC2007C उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : EPC2007C
निर्माता : EPC
वर्णन : GANFET TRANS 100V 6A BUMPED DIE
श्रृंखला : eGaN®
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : GaNFET (Gallium Nitride)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 100V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 6A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 5V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 30 mOhm @ 6A, 5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2.5V @ 1.2mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 2.2nC @ 5V
Vgs (अधिकतम) : +6V, -4V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 220pF @ 50V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : -
अपरेटिंग तापमान : -40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : Die Outline (5-Solder Bar)
प्याकेज / केस : Die
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