Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-HFA08TB120-N3

KEY Part #: K6442675

VS-HFA08TB120-N3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [7405पीसी स्टक]

  • 1,000 pcs$1.00470

भाग संख्या:
VS-HFA08TB120-N3
निर्माता:
Vishay Semiconductor Diodes Division
विस्तृत विवरण:
DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220AC.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या and पावर ड्राइभर मोड्युलहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-HFA08TB120-N3 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : VS-HFA08TB120-N3
निर्माता : Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन : DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220AC
श्रृंखला : HEXFRED®
भाग स्थिति : Obsolete
डायोड प्रकार : Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 1200V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 8A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 3.3V @ 8A
गति : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : 95ns
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 10µA @ 1200V
Capacitance @ Vr, F : -
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
प्याकेज / केस : TO-220-2
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-220AC
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -55°C ~ 150°C

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