Nexperia USA Inc. - PMV65XP/MIR

KEY Part #: K6412204

[13526पीसी स्टक]


    भाग संख्या:
    PMV65XP/MIR
    निर्माता:
    Nexperia USA Inc.
    विस्तृत विवरण:
    MOSFET P-CH 20V SOT23.
    Manufacturer's standard lead time:
    स्टक मा
    आफ्नो जीवन:
    एक वर्ष
    बाट चिप:
    हंगकंग
    RoHS:
    भुक्तानी विधि:
    ढुवानी मार्ग:
    परिवार कोटिहरू:
    KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, Thyristors - SCRs, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू and Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू ...
    प्रतिस्पर्धी लाभ:
    We specialize in Nexperia USA Inc. PMV65XP/MIR electronic components. PMV65XP/MIR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PMV65XP/MIR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    PMV65XP/MIR उत्पाद गुणहरू

    भाग संख्या : PMV65XP/MIR
    निर्माता : Nexperia USA Inc.
    वर्णन : MOSFET P-CH 20V SOT23
    श्रृंखला : -
    भाग स्थिति : Obsolete
    FET प्रकार : P-Channel
    टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
    स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 20V
    हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 2.8A (Ta)
    ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 1.8V, 4.5V
    Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 74 mOhm @ 2.8A, 4.5V
    Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 900mV @ 250µA
    गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 7.7nC @ 4.5V
    Vgs (अधिकतम) : ±12V
    इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 744pF @ 20V
    FET फिचर : -
    पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 480mW (Ta), 4.17W (Tc)
    अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
    माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
    आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-236AB
    प्याकेज / केस : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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