Taiwan Semiconductor Corporation - TSM680P06DPQ56 RLG

KEY Part #: K6523230

TSM680P06DPQ56 RLG मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [322810पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.11458

भाग संख्या:
TSM680P06DPQ56 RLG
निर्माता:
Taiwan Semiconductor Corporation
विस्तृत विवरण:
MOSFET 2 P-CH 60V 12A 8PDFN.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - आरएफ, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs and ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TSM680P06DPQ56 RLG उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : TSM680P06DPQ56 RLG
निर्माता : Taiwan Semiconductor Corporation
वर्णन : MOSFET 2 P-CH 60V 12A 8PDFN
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : 2 P-Channel (Dual)
FET फिचर : Standard
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 60V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 12A (Tc)
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 68 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2.5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 16.4nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 870pF @ 30V
पावर - अधिकतम : 3.5W
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : 8-PowerTDFN
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 8-PDFN (5x6)

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