Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-ST303C12LFJ1

KEY Part #: K6460035

VS-ST303C12LFJ1 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [426पीसी स्टक]

  • 1 pcs$109.04590
  • 3 pcs$103.85348

भाग संख्या:
VS-ST303C12LFJ1
निर्माता:
Vishay Semiconductor Diodes Division
विस्तृत विवरण:
SCR 1200V 1180A B-PUK. SCR Modules 515 Amp 1200 Volt 995 Amp IT(RMS)
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF and ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-ST303C12LFJ1 electronic components. VS-ST303C12LFJ1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-ST303C12LFJ1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-ST303C12LFJ1 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : VS-ST303C12LFJ1
निर्माता : Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन : SCR 1200V 1180A B-PUK
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
भोल्टेज - अफ स्टेट : 1.2kV
भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम) : 3V
वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम) : 200mA
भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम) : 2.16V
वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम) : 620A
वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम) : 1180A
वर्तमान - होल्ड (Ih) (अधिकतम) : 600mA
वर्तमान - अफ स्टेट (अधिकतम) : 50mA
हाल - गैर रिप : 6690A, 7000A
SCR प्रकार : Standard Recovery
अपरेटिंग तापमान : -40°C ~ 125°C
माउन्टिंग प्रकार : Chassis Mount
प्याकेज / केस : TO-200AB, E-PUK
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-200AB (E-Puk)

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