Infineon Technologies - IRFH8321TRPBF

KEY Part #: K6420697

IRFH8321TRPBF मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [234106पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.15799
  • 4,000 pcs$0.13550

भाग संख्या:
IRFH8321TRPBF
निर्माता:
Infineon Technologies
विस्तृत विवरण:
MOSFET N CH 30V 21A PQFN5X6.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू and डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFH8321TRPBF उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : IRFH8321TRPBF
निर्माता : Infineon Technologies
वर्णन : MOSFET N CH 30V 21A PQFN5X6
श्रृंखला : HEXFET®
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 21A (Ta), 83A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 4.9 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2V @ 50µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 59nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 2600pF @ 10V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 3.4W (Ta), 54W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : PQFN (5x6)
प्याकेज / केस : 8-TQFN Exposed Pad

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