Infineon Technologies - IDP30E65D2XKSA1

KEY Part #: K6440179

IDP30E65D2XKSA1 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [73006पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.53559
  • 500 pcs$0.42961

भाग संख्या:
IDP30E65D2XKSA1
निर्माता:
Infineon Technologies
विस्तृत विवरण:
DIODE GEN PURP 650V 60A TO220-2. Diodes - General Purpose, Power, Switching IGBT PRODUCTS
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ and डायोडहरू - जेनर - एर्रे ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IDP30E65D2XKSA1 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : IDP30E65D2XKSA1
निर्माता : Infineon Technologies
वर्णन : DIODE GEN PURP 650V 60A TO220-2
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
डायोड प्रकार : Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 650V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 60A (DC)
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 2.2V @ 30A
गति : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : 42ns
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 40µA @ 650V
Capacitance @ Vr, F : -
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
प्याकेज / केस : TO-220-2
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : PG-TO220-2-1
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -40°C ~ 175°C

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