Vishay Siliconix - SIHF12N65E-GE3

KEY Part #: K6399389

SIHF12N65E-GE3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [32358पीसी स्टक]

  • 1 pcs$1.27362
  • 1,000 pcs$0.55017

भाग संख्या:
SIHF12N65E-GE3
निर्माता:
Vishay Siliconix
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 650V 12A TO-220.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प and Thyristors - SCRs ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHF12N65E-GE3 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : SIHF12N65E-GE3
निर्माता : Vishay Siliconix
वर्णन : MOSFET N-CH 650V 12A TO-220
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 650V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 12A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 380 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 4V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 70nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±30V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 1224pF @ 100V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 33W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-220 Full Pack
प्याकेज / केस : TO-220-3 Full Pack

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