BSB104N08NP3GXUSA1 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [142021पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.26044
- 5,000 pcs$0.23897
- भाग संख्या:
- BSB104N08NP3GXUSA1
- निर्माता:
- Infineon Technologies
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 80V 13A 2WDSON.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - आरएफ, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू and Thyristors - SCRs ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Infineon Technologies BSB104N08NP3GXUSA1 electronic components. BSB104N08NP3GXUSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSB104N08NP3GXUSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSB104N08NP3GXUSA1 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
BSB104N08NP3GXUSA1
निर्माता :
Infineon Technologies
वर्णन :
MOSFET N-CH 80V 13A 2WDSON
श्रृंखला :
OptiMOS™
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
80V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
13A (Ta), 50A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
10.4 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
3.5V @ 40µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
31nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
2100pF @ 40V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
2.8W (Ta), 42W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
MG-WDSON-2, CanPAK M™
प्याकेज / केस :
3-WDSON
ताजा समाचारहरू
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तातो पार्ट्स
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