भाग संख्या :
IPI120N06S4H1AKSA2
निर्माता :
Infineon Technologies
वर्णन :
MOSFET N-CH TO262-3
श्रृंखला :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
60V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
120A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
2.4 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
4V @ 200µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
270nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
21900pF @ 25V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
250W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
PG-TO262-3-1
प्याकेज / केस :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA