Infineon Technologies - BAS116E6433HTMA1

KEY Part #: K6458665

BAS116E6433HTMA1 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [3737866पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.01160
  • 10,000 pcs$0.01154

भाग संख्या:
BAS116E6433HTMA1
निर्माता:
Infineon Technologies
विस्तृत विवरण:
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs and ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAS116E6433HTMA1 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : BAS116E6433HTMA1
निर्माता : Infineon Technologies
वर्णन : DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Last Time Buy
डायोड प्रकार : Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 80V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 250mA (DC)
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 1.25V @ 150mA
गति : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : 1.5µs
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 5nA @ 75V
Capacitance @ Vr, F : 2pF @ 0V, 1MHz
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : SOT-23-3
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : 150°C (Max)

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