Infineon Technologies - IRL6283MTRPBF

KEY Part #: K6402906

[2541पीसी स्टक]


    भाग संख्या:
    IRL6283MTRPBF
    निर्माता:
    Infineon Technologies
    विस्तृत विवरण:
    MOSFET N-CH 20V 211A DIRECTFET.
    Manufacturer's standard lead time:
    स्टक मा
    आफ्नो जीवन:
    एक वर्ष
    बाट चिप:
    हंगकंग
    RoHS:
    भुक्तानी विधि:
    ढुवानी मार्ग:
    परिवार कोटिहरू:
    KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, डायोडहरू - जेनर - एकल, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, Thyristors - DIACs, SIDACs and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू ...
    प्रतिस्पर्धी लाभ:
    We specialize in Infineon Technologies IRL6283MTRPBF electronic components. IRL6283MTRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRL6283MTRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRL6283MTRPBF उत्पाद गुणहरू

    भाग संख्या : IRL6283MTRPBF
    निर्माता : Infineon Technologies
    वर्णन : MOSFET N-CH 20V 211A DIRECTFET
    श्रृंखला : HEXFET®, StrongIRFET™
    भाग स्थिति : Obsolete
    FET प्रकार : N-Channel
    टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
    स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 20V
    हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 38A (Ta), 211A (Tc)
    ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 2.5V, 4.5V
    Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 0.75 mOhm @ 50A, 10V
    Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 1.1V @ 100µA
    गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 158nC @ 4.5V
    Vgs (अधिकतम) : ±12V
    इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 8292pF @ 10V
    FET फिचर : -
    पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 2.1W (Ta), 63W (Tc)
    अपरेटिंग तापमान : -40°C ~ 150°C (TJ)
    माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
    आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : DIRECTFET™ MD
    प्याकेज / केस : DirectFET™ Isometric MD

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