Rohm Semiconductor - RQ3E130BNTB

KEY Part #: K6394227

RQ3E130BNTB मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [636850पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.06421
  • 3,000 pcs$0.06389

भाग संख्या:
RQ3E130BNTB
निर्माता:
Rohm Semiconductor
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
We specialize in Rohm Semiconductor RQ3E130BNTB electronic components. RQ3E130BNTB can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RQ3E130BNTB, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RQ3E130BNTB उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : RQ3E130BNTB
निर्माता : Rohm Semiconductor
वर्णन : MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 13A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 6 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2.5V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 36nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 1900pF @ 15V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 2W (Ta)
अपरेटिंग तापमान : 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 8-HSMT (3.2x3)
प्याकेज / केस : 8-PowerVDFN

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