Transphorm - TPH3208LD

KEY Part #: K6401696

TPH3208LD मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [2962पीसी स्टक]

  • 1 pcs$5.76876
  • 10 pcs$5.19189
  • 100 pcs$4.26888
  • 500 pcs$3.57663

भाग संख्या:
TPH3208LD
निर्माता:
Transphorm
विस्तृत विवरण:
GANFET N-CH 650V 20A PQFN.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - आरएफ and ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TPH3208LD उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : TPH3208LD
निर्माता : Transphorm
वर्णन : GANFET N-CH 650V 20A PQFN
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Obsolete
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : GaNFET (Gallium Nitride)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 650V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 20A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 130 mOhm @ 13A, 8V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2.6V @ 300µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 14nC @ 8V
Vgs (अधिकतम) : ±18V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 760pF @ 400V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 96W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 4-PQFN (8x8)
प्याकेज / केस : 4-PowerDFN

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