IPN60R3K4CEATMA1 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [514616पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.07187
- 3,000 pcs$0.06317
- भाग संख्या:
- IPN60R3K4CEATMA1
- निर्माता:
- Infineon Technologies
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET NCH 600V 2.6A SOT223.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, Thyristors - DIACs, SIDACs, डायोडहरू - जेनर - एकल and ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Infineon Technologies IPN60R3K4CEATMA1 electronic components. IPN60R3K4CEATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPN60R3K4CEATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPN60R3K4CEATMA1 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
IPN60R3K4CEATMA1
निर्माता :
Infineon Technologies
वर्णन :
MOSFET NCH 600V 2.6A SOT223
श्रृंखला :
CoolMOS™
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
600V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
2.6A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
3.4 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
3.5V @ 40µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
4.6nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
93pF @ 100V
FET फिचर :
Super Junction
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
5W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
PG-SOT223
प्याकेज / केस :
SOT-223-3
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