Nexperia USA Inc. - PSMN4R3-30BL,118

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PSMN4R3-30BL,118 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [157926पीसी स्टक]

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भाग संख्या:
PSMN4R3-30BL,118
निर्माता:
Nexperia USA Inc.
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, डायोडहरू - आरएफ, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, डायोडहरू - जेनर - एकल, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल and ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF ...
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PSMN4R3-30BL,118 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : PSMN4R3-30BL,118
निर्माता : Nexperia USA Inc.
वर्णन : MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 100A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 4.1 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2.15V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 41.5nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 2400pF @ 15V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 103W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : D2PAK
प्याकेज / केस : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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