Vishay Semiconductor Diodes Division - VF20120SG-E3/4W

KEY Part #: K6427435

VF20120SG-E3/4W मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [150539पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.24570
  • 1,000 pcs$0.22369

भाग संख्या:
VF20120SG-E3/4W
निर्माता:
Vishay Semiconductor Diodes Division
विस्तृत विवरण:
DIODE SCHOTTKY 120V 20A ITO220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 20 Amp 120 Volt Single TrenchMOS
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या and ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VF20120SG-E3/4W उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : VF20120SG-E3/4W
निर्माता : Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन : DIODE SCHOTTKY 120V 20A ITO220AB
श्रृंखला : TMBS®
भाग स्थिति : Active
डायोड प्रकार : Schottky
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 120V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 20A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 1.33V @ 20A
गति : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : -
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 250µA @ 120V
Capacitance @ Vr, F : -
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
प्याकेज / केस : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : ITO-220AB
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -40°C ~ 150°C

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