Vishay Semiconductor Diodes Division - VI30120SGHM3/4W

KEY Part #: K6443166

VI30120SGHM3/4W मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [2885पीसी स्टक]

  • 1,000 pcs$0.30205

भाग संख्या:
VI30120SGHM3/4W
निर्माता:
Vishay Semiconductor Diodes Division
विस्तृत विवरण:
DIODE SCHOTTKY 30A 120V TO-262AA.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VI30120SGHM3/4W उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : VI30120SGHM3/4W
निर्माता : Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन : DIODE SCHOTTKY 30A 120V TO-262AA
श्रृंखला : Automotive, AEC-Q101
भाग स्थिति : Obsolete
डायोड प्रकार : Schottky
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 120V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 30A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 1.28V @ 30A
गति : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : -
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 500µA @ 120V
Capacitance @ Vr, F : -
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
प्याकेज / केस : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-262AA
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -40°C ~ 150°C

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