IXYS Integrated Circuits Division - IXDN602SIATR

KEY Part #: K1225649

IXDN602SIATR मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [185683पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.23372
  • 2,000 pcs$0.23255

भाग संख्या:
IXDN602SIATR
निर्माता:
IXYS Integrated Circuits Division
विस्तृत विवरण:
2A 8 LEAD SOIC DUAL NON INVERTIN. Gate Drivers 2-A Dual Low-Side Ultrafast MOSFET
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: PMIC - तातो स्व्याप कन्ट्रोलरहरू, तर्क - गेट्स र इन्भर्टरहरू, डाटा अधिग्रहण - एडीसीहरू / ड्याक्स - विशेष उद्देश्, डाटा अधिग्रहण - डिजिटल कन्भर्टरहरूको एनालग (एडीसी), PMIC - ब्याट्री चार्जर, तर्क - काउन्टर, भिन्न व्यक्ति, PMIC - प्रकाश, गिट्टी कन्ट्रोलरहरू and PMIC - DMS रूपान्तरण गर्न RMS ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXDN602SIATR उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : IXDN602SIATR
निर्माता : IXYS Integrated Circuits Division
वर्णन : 2A 8 LEAD SOIC DUAL NON INVERTIN
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
ड्राइभ कन्फिगरेसन : Low-Side
च्यानल प्रकार : Independent
चालकहरूको संख्या : 2
गेट प्रकार : IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
भोल्टेज - आपूर्ति : 4.5V ~ 35V
तर्क भोल्टेज - VIL, VIH : 0.8V, 3V
वर्तमान - चुचुरो आउटपुट (स्रोत, सिंक) : 2A, 2A
इनपुट प्रकार : Non-Inverting
उच्च साइड भोल्टेज - अधिकतम (बुटस्ट्र्याप) : -
उठ्नुहोस् / पतन समय (प्रकार) : 7.5ns, 6.5ns
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 8-SOIC

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